The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Le LC (Le Ling-Cong) ; Zhao DG (Zhao De-Gang) ; Wu LL (Wu Liang-Liang) ; Deng Y (Deng Yi) ; Jiang DS (Jiang De-Sheng) ; Zhu JJ (Zhu Jian-Jun) ; Liu ZS (Liu Zong-Shun) ; Wang H (Wang Hui) ; Zhang SM (Zhang Shu-Ming) ; Zhang BS (Zhang Bao-Shun) ; Yang H (Yang Hui) |
| 刊名 | chinese physics b
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 20期号:12页码:127306 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2012-02-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22931]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Le LC ,Zhao DG ,Wu LL ,et al. The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition[J]. chinese physics b,2011,20(12):127306. |
| APA | Le LC .,Zhao DG .,Wu LL .,Deng Y .,Jiang DS .,...&Yang H .(2011).The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition.chinese physics b,20(12),127306. |
| MLA | Le LC ,et al."The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition".chinese physics b 20.12(2011):127306. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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