Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lin DF (Lin D. F.) ; Wang XL (Wang X. L.) ; Xiao HL (Xiao H. L.) ; Wang CM (Wang C. M.) ; Qiang LJ (Qiang L. J.) ; Feng C (Feng C.) ; Chen H (Chen H.) ; Hou QF (Hou Q. F.) ; Deng QW (Deng Q. W.) ; Bi Y (Bi Y.) ; Kang H (Kang H.) |
| 刊名 | european physical journal-applied physics
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 56期号:1页码:10101 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2012-02-21 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22884]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lin DF ,Wang XL ,Xiao HL ,et al. Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors[J]. european physical journal-applied physics,2011,56(1):10101. |
| APA | Lin DF .,Wang XL .,Xiao HL .,Wang CM .,Qiang LJ .,...&Kang H .(2011).Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors.european physical journal-applied physics,56(1),10101. |
| MLA | Lin DF ,et al."Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors".european physical journal-applied physics 56.1(2011):10101. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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