Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li XY (Li Xinyi) ; Han PD (Han Peide) ; Gao LP (Gao Lipeng) ; Mao X (Mao Xue) ; Hu SX (Hu Shaoxu) |
| 刊名 | applied physics a-materials science & processing
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 105期号:4页码:1021-1024 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2012-02-21 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22892]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li XY ,Han PD ,Gao LP ,et al. Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium[J]. applied physics a-materials science & processing,2011,105(4):1021-1024. |
| APA | Li XY ,Han PD ,Gao LP ,Mao X ,&Hu SX .(2011).Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium.applied physics a-materials science & processing,105(4),1021-1024. |
| MLA | Li XY ,et al."Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium".applied physics a-materials science & processing 105.4(2011):1021-1024. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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