SiC/Si异质结构和HfO_2高κ薄膜制备及其性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 邢玉梅 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 俞跃辉 |
| 关键词 | SiC 离子注入 场发射 氧化铪 电子束蒸发 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 宽带隙半导体材料和高介电常数材料是当今微电子领域的前沿研究课题。SiC是宽带隙半导体的核心材料之一，但其体材料制备较难、价格偏高，严重制约SiC基器件的实际应用。在众多解决方案中，离子注入技术由于不受热力学平衡的限制、且能比较精确地控制注入剂量和埋层厚度，是未来制备高质量、大尺寸SiC材料的重要方法。另一方面，随着硅集成电路深入亚微米、深亚微米范围，采用高介电常数(κ)材料替代传统的SiO_2介质已成为必然趋势，有必要开展相关的研究工作。 本文分别采用无质量分析器的大束流离子注入机和线扫描式离子注入机进行 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82252]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢玉梅 . SiC/Si异质结构和HfO_2高κ薄膜制备及其性能研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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