微波宽带低噪声放大器电路及其在片测试技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张健 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 孙晓玮 |
| 关键词 | 微波单片集成电路 宽带微波低噪声放大器 芯片在片测试 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本文详细阐述了当前实现微波宽带低噪声放大器的多种电路拓扑，仔细分析了各种结构的工作原理并比较了各自的优缺点。采用电抗匹配的方法设计宽带微波低噪声放大器（LNA），创新提出了基于电抗匹配的宽带LNA的单边设计模型和双边设计模型，在改进的双边设计模型中，考虑了栅源反馈电容对电路性能的影响，仔细计算了在该模型中噪声阻抗的大小，分析了基于源级电感负反馈的宽带LNA的实现方法，利用了栅源反馈电容的作用，通过调节输出负载的办法，推导了其在容性负载阻抗和阻性负载阻抗配合情况下的宽带实现；并据此设计加工流片制作6GHz- |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82256]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张健. 微波宽带低噪声放大器电路及其在片测试技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。