厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 程新利 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 ; 张峰 |
| 关键词 | 厚膜绝缘体上的硅 绝缘体上的锗硅 注氧隔离 气相外延 氢 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 绝缘体上的硅(SOI)材料以其独特的结构在低压、低功耗电路,高温、抗辐照器件和光电子学等方面都有广泛的应用,并且与成熟的硅工艺相兼容,是很有应用前景的光电集成用材料。SiGeOI材料同时具有SiGe材料和SOI材料的特点,具有电子学和光子学的特点,近年来受到众多研究者的重视。由于自身的特点,高Ge浓度SiGeOI材料制备存在着困难。本论文即围绕着是光通信厚膜SOI材料和高Ge组分SiGeOI材料进行研究,对两种材料的制备进行了研究并开展了以下的工作。 在SIMOX技术基础上结合气相外延技术制备了厚膜SOI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82265]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新利 . 厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。