砷化镓基高温HBT器件及其特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘文超 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | 砷化镓 异质结双极晶体管 AlGaInP/GaAs 直流特性 高温特性 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | GaAs基HBT具有其优良的频率特性，使得它在微波及毫米波领域有着广泛的应用。同时，GaAs基HBT因其异质结构具有较大的△E_g，在高频功率方面有着广泛的应用前景。目前，GaAs基HBT的使用温度远未达到其理论极限。本论文以提高欧姆接触的高温可靠性入手，着重对高溫HBT器件及其特性进行了研究。 通过对器件失效机制的分析得出，高温下器件欧姆接触性能的退化和失效是制约HBT器件应用的主要因素。为了进一步提高HBT器件的高温特性，论文采用Ti、Mo、W等难容金属制备GaAs基HBT器件的欧姆接触电极。通过采用 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82273]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文超 . 砷化镓基高温HBT器件及其特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。