埋嵌在高k介质中Ge纳米晶的制备及其电荷存储特性的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王石冶 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张苗 ; 刘卫丽 |
| 关键词 | 高K介质 Ge纳米晶 纳米浮栅存储器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 自从S.Wiwari在应用物理快报上,公布出第一个基于Si纳米晶存储电荷的纳米浮栅存储器,全世界越来越多的研究人员开始关注这种新型的非挥发性存储器,并希望其取代目前常用的多晶硅浮栅存储器(Flash)。当半导体结点技术发展到小于90纳米时,栅氧化层厚度将减薄至12到15埃。随着栅介质层的逐渐变薄,由直接隧穿效应产生的泄漏电流已经成为影响器件性能的重要因素。高介电常数(high-k)栅介质,在其电学等效厚度小于1.5纳米同时,能保持足够的物理厚度,从而有效的阻止泄漏电流。 本论文围绕高k介质材料和纳米浮栅存 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82282]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王石冶 . 埋嵌在高k介质中Ge纳米晶的制备及其电荷存储特性的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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