半导体激光器性能表征及脉冲测量技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 南矿军 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | 半导体激光器:6562 脉冲测量:5654 性能表征:4015 技术研究:2094 多量子阱激光器:1161 脊波导:1018 InGaAsSb:787 脉冲驱动:737 InGaAsP:689 热特性参数:656 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本论文主要论述了自行设计开发的一套计算机控制的半导体激光器脉冲测量表征系统，以及在不同的脉冲驱动条件下应用本系统对InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱、InGaAsSb/AlGaAsSb脊波导多量子阱、InAlAs/InGaAs/InP中红外量子级联等三种结构激光器的I-P、I-V及光谱特性进行的研究工作；通过对实验结果的分析，我们发展了分别基于脉冲I-P、I-V及光谱测量的三种半导体激光器热特性表征方法，并得到了这些激光器的热阻等热特性参数，现将有关研究结果总结如下： 我们将脉冲发生器、数字示波器、 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82287]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 南矿军 . 半导体激光器性能表征及脉冲测量技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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