GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 彭鹏 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2000 |
| 授予单位 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 陈建新 ; 李爱珍 |
| 关键词 | 异质结双极型晶体管 分子束外延 化合物半导体 材料 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本论文主要从异质结双极型晶体管（HBT）用Ⅲ—V 族化合物半导 体材料结构和分子束外延（GSMBE）生长工艺的角度，对影响材料和器 件性能的一些机理和材料结构参数进行了分析和讨论。并在理论分析和 数值模拟计算的基础上，对适用于HBT 的Ⅲ—V 族半导体微结构材料 的参数选择进行较细致的研究。并用GSMBE 生长的样品进行了工艺流片 和器件性能测量。主要内容和结果包括 1 对HBT 结构中载流子的分布进行了模拟计算，用费米统计率对 玻尔兹曼统计律进行了修正，并在热场发射──扩散模型的基础 上，对HBT 的电 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82303]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭鹏 . GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究[D]. 北京. 中国科学院上海冶金研究所 . 2000. |
入库方式： OAI收割
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