基于绝缘体上的硅材料的刻蚀光栅式分波合波器研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王文辉 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王跃林 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅材料 平面光波导 刻蚀光栅 分波合波器 集成波导拐弯微镜 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 绝缘体上的硅(SOI)材料是制作平面光波导器件的一种主要材料，具有良好的光学、电学和机械特性。制作的平面光波导器件具有与集成电路兼容的加工工艺、成本低、可靠性高和适合批量生产的优点。 光分波合波器是密集波分复用(DWDM)系统及光网络系统中的核心器件之一，是所有波长选择性功能的硬件基础。刻蚀光栅式分波合波器(EDG)具有结构紧凑、可靠性高、成本低等优点。因此研究基于SOI材料的EDG具有非常重要的意义。 制作垂直、光滑的光栅槽面是制作EDG的关键。论文采用无切换的电感耦合等离子体刻蚀(ICP)技术在SOI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82307]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文辉 . 基于绝缘体上的硅材料的刻蚀光栅式分波合波器研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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