InP基及含磷异质结双极晶体管材料结构设计与气态源分子束外延生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 徐安怀 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 |
| 关键词 | InGaAs/InP InGaP/GaAs 异质结双极晶体管 气态源分子束外延 碳掺杂 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 异质结双极晶体管(HBT)是光纤通信和无线通信系统中的关键器件之一，有着广阔的应用前景，对它的研究具有重要的学术意义和实际价值。为此，本论文对InP基HBT结构的设计、重碳掺杂p型InGaAs基区材料的气态源分子束外延(GSMBE)生长、掺铍和掺碳基区InGaAs／InP和InGaP／GaAs HBT材料的生长及器件制作进行了深入系统的研究，取得的主要结果包括： 1．对发射结和集电结均具有n型掺杂层复合结构的InGaAs／InP双异质结HBT(即DHBT)的电流传输特性及其对器件性能的影响进行了理论分析， |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82309]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐安怀 . InP基及含磷异质结双极晶体管材料结构设计与气态源分子束外延生长研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。