GaInAsSb/AlGaAsSb半导体激光器器件工艺及表征技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 简贵胄 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2000 |
| 授予单位 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | GaInAsSb:5292 半导体激光器:5182 器件工艺:3902 表征技术:3872 AlGaAs:3657 注入电流:756 激光器件:577 腐蚀液:529 激射光谱:435 刻蚀速率:400 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本论文对2μm 波段 GaInAsSb/AlGaAsSb 多量子阱半导体 激光器的器件工艺及器件性能表征技术进行了研究。建立了计算机 控制的脉冲工作条件下半导体激光器参数测试系统；研究了该器件 制作所需用的湿法刻蚀工艺：并进行了脊型波导结构激光器件的工 艺流片和性能测试表征，得到以下结果： 我们利用实验室现有设备建立了采用GPIB 总线相连按，由 计算机进行控制的半导体激光器脉冲特性测试系统，用于进行半导 体激光器的I-P、I-V特性研究。该测试系统在脉冲测量中驱动电流 可达1A以上，脉宽可在100ns以 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82322]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 简贵胄 . GaInAsSb/AlGaAsSb半导体激光器器件工艺及表征技术研究[D]. 中国科学院上海冶金研究所 . 2000. |
入库方式： OAI收割
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