半导体激光器腔面镀膜研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 吴根柱 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 |
| 关键词 | 高反射膜 减反射膜 腔面镀膜 反射率 折射率 光学厚度 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本工作以解决半导体激光器工艺难点为目标,以半导体激光器腔面镀膜工艺研究为重点,开展了对半导体激光器腔面镀膜原理、设计及其对半导体激光器光电性能的影响和工艺实施方法的研究,取得了如下结果:通过介绍薄膜光学理论知识,讨论了半导体光电器件的减发射膜和高反射膜设计原理,以氧化物介质膜料为基础,提出了几种新的减反射膜系结构和高反射膜系结构,并分别对其反射率进行了计算,得出其反射率随波长变化的关系,为下一步工艺实施提供了理论指导.在考虑俄歇效应的情况下,用行波速率方程组研究了半导体激光器输出功率与端面反射率的关系,给 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82329]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴根柱. 半导体激光器腔面镀膜研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
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