SOI基光耦合器与二维光子晶体研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 方娜 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | 绝缘体上硅 微纳米光学 三维模斑转换器 微机械加工工艺 二维光子晶体 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 作为一种在集成电路领域极具应用前景的材料，SOI在微纳米光子学领域也越来越受到关注。SOI材料的诸多优点使其成为制备微纳米光学器件的理想衬底材料。在集成光学的应用推广中，光纤与小尺寸光子学器件的耦合成为关键问题，本文正是在这样的背景下开展了对SOI光耦合器及二维光子晶体的研究。本文采用与体硅半导体工艺完全兼容的技术方法成功制备SOI基三维模斑转换器结构，用以光纤和微纳光子学器件的耦合，并针对SOI二维光子晶体结构的制备和测试进行了探索。为解决光纤与光子学器件入射端的耦合难题，众多小组曾提出各种耦合器方案， |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82341]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方娜. SOI基光耦合器与二维光子晶体研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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