SOI RESURF原理研究及SOI LDMOS研制
文献类型：学位论文
| 作者 | 杨文伟 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 俞跃辉 |
| 关键词 | SOI PICs 功率器件 RESURF原理 TDDB 等效势垒 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 随着集成电路技术的不断发展,功率器件的研究也受到广泛关注,新型功率器件不断涌现,特别是由于MOS栅功率器件的出现,引发了功率集成电路(PICs:Power Integrated Circuits)的概念,即将功率器件和逻辑控制电路集成在单一芯片上。这对于提高电子系统的可靠性和缩小系统体积是有益的。 高电压的功率器件和低电压的集成电路器件之间的隔离问题是PICs研究的重点之一。SOI(Silicon-on-Insulator)技术以其理想的介质隔离性能,相对简单的隔离工艺,可以在PICs中以较简单的工艺实现 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82362]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨文伟 . SOI RESURF原理研究及SOI LDMOS研制[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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