用于纳米梁自检测及驱动的MOS电容结构研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 成海涛 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 杨恒 |
| 关键词 | NEMS 谐振器 MOS 电容 耗尽驱动 表面损伤 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 纳电子机械系统（NEMS）在半导体技术、痕量检测及一些基础科学研究方面展现了很大的潜力。针对纳机电系统面临的加工、检测和驱动问题，本论文分别在这三方面做了一些工作。 器件加工方面，提出一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制作纳米梁的新工艺方法。基于单晶硅的材料和工艺特点，辅助利用FIB技术，最终在(110)SOI硅片获得了122nm的单晶硅梁。在KOH腐蚀过程中，(111)自终止面由梁中部区域自校正地扩展至梁两端，直至纳米梁腐蚀成型。本工艺方法具有无晶格损伤层、工艺稳定性好、加工精度较高等优点。 位移检测方面， |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 62 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82368]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成海涛. 用于纳米梁自检测及驱动的MOS电容结构研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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