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射频集成开关及正交输出压控振荡器研究

文献类型:学位论文

作者袁徐亮  
学位类别硕士
答辩日期2006
授予单位中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  
授予地点北京
导师孙晓玮  
关键词射频集成开关 高阻硅 正交相位输出 电感电容压控振荡器 相位噪声  
学位专业微电子与固体电子学  
中文摘要本论文有两部分内容组成,第一部分内容论述了X波段射频集成开关的理论和实现。如今射频和微波技术日益发展,高集成度、高性能、低成本成为其发展的趋势。但是传统的GaAs工艺昂贵的成本,限制了微波单片电路的普及。目前,人们为了提高硅衬底在微波集成电路中的性能,大幅度提高了硅衬底的阻抗,使得成熟的硅工艺能够在微波集成电路中使用。本论文基于现有的工艺条件和测试环境,设计制作了X波段射频集成开关并且进行了测试,实测结果与软件仿真较好吻合,基本达到实际的设计指标。同时,通过对测量结果的分析,为使用高阻硅作为衬底材料的下一
公开日期2012-03-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82388]  
专题上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式
GB/T 7714
袁徐亮  . 射频集成开关及正交输出压控振荡器研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  . 2006.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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