射频集成开关及正交输出压控振荡器研究
文献类型:学位论文
作者 | 袁徐亮 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2006 |
授予单位 | 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) |
授予地点 | 北京 |
导师 | 孙晓玮 |
关键词 | 射频集成开关 高阻硅 正交相位输出 电感电容压控振荡器 相位噪声 |
学位专业 | 微电子与固体电子学 |
中文摘要 | 本论文有两部分内容组成,第一部分内容论述了X波段射频集成开关的理论和实现。如今射频和微波技术日益发展,高集成度、高性能、低成本成为其发展的趋势。但是传统的GaAs工艺昂贵的成本,限制了微波单片电路的普及。目前,人们为了提高硅衬底在微波集成电路中的性能,大幅度提高了硅衬底的阻抗,使得成熟的硅工艺能够在微波集成电路中使用。本论文基于现有的工艺条件和测试环境,设计制作了X波段射频集成开关并且进行了测试,实测结果与软件仿真较好吻合,基本达到实际的设计指标。同时,通过对测量结果的分析,为使用高阻硅作为衬底材料的下一 |
公开日期 | 2012-03-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82388] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁徐亮 . 射频集成开关及正交输出压控振荡器研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) . 2006. |
入库方式: OAI收割
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