SOI器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 林青 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 张正选 |
| 关键词 | 自加热效应 夹心埋层结构 SOIM结构 总剂量辐射效应 MEDICI模拟 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI技术的研究是微电子领域发展的前沿课题，SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，被誉为“21世纪的硅集成电路技术”。本论文根据国家973项目、国家自然科学基金项目、军工预研项目等国家任务的需要，开展了SOI自加热效应及抗总剂量辐射加固技术的研究，获得的主要结果如下： 初步建立了SOI器件的温度分布模型，对产生自加热效应的机理进行了探讨性的研究，并采用MEDICI数值模拟的方法，对影响SOI器件自加热效应的各参数进行了提取，从理论上证明了，MOS／SOI各参数对SOI器件的自加热效应都有 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82423]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林青 . SOI器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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