新型多孔硅结构的制备、形成机理及应用研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 葛道晗 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 焦继伟 |
| 关键词 | 硅的电化学 多孔硅 微电子机械系统（MEMS） 涌流模型 空间电荷区。 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 多孔硅是硅的电化学反应极为重要的产物之一,它的许多优良特性在诸多领域都有广泛的应用前景，因而受到许多研究机构重视。多孔硅的微观结构取决于电化学腐蚀过程中的各种参数，研究人员经过数十年研究目前仍未对其有全面深入的认知。本文将通过对多孔硅制备方法和条件进行探索，集中研究一些新型且极具应用价值的多孔结构，如纳米直孔阵列、多层复合多孔层等，促进多孔硅在更多领域的应用。 本文基于MEMS加工技术及对图形化和未图形化多种电阻率硅样品的大量电化学腐蚀工作，成功制备出多种新颖的多孔硅结构，并对其成孔机理进行较为深入的探讨 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82443]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛道晗. 新型多孔硅结构的制备、形成机理及应用研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
入库方式： OAI收割
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