GaAsN 负有效质量太赫兹源 及非线性动力学
文献类型：学位论文
| 作者 | 冯伟 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | 太赫兹 GaAs1 xNx 负微分速度 电流振荡 混沌 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 近年来，随着纳米工艺与表征技术的进步，稀氮半导体材料器件已成为物 理学领域的一个研究热点，对该类器件中载流子输运的研究具有重要的理论 和应用价值。本论文采用漂移扩散模型，研究了直流偏压及太赫兹场辐射下 GaAs1 xNx 太赫兹源中电流振荡现象。主要研究内容和结论如下： |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82445]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯伟. GaAsN 负有效质量太赫兹源 及非线性动力学[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
入库方式： OAI收割
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