1.3μm VCSEL结构制作研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 谢正生 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 吴惠桢 |
| 关键词 | 垂直腔面发射激光器 气态源分子束外延 金属键合 器件工艺 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 垂直腔面发射激光器(VCSEL)因具有在片测试、与光纤耦合效率高、调制速率高和功耗低等优点而有可能成为今后光网络中最有竞争优势的光源。特别地，近年来适合于中短程的单模光纤网络的光通信长波长(1.3～1.55μm)VCSEL发展迅速，已经成为近年来激光器研究领域中一个十分活跃的课题。本论文围绕键合结构1.3μmVCSEL，研究了单元材料的气态源分子束外延(GSMBE)生长及其表征、在国内首次探讨了低温Au-In-Au金属键合技术在VCSEL制作中的应用，最后还研究了VCSEL器件的制作工艺。获得的主要结果有 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82453]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢正生 . 1.3μm VCSEL结构制作研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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