SOI在射频电路中的应用
文献类型：会议论文
| 作者 | 骆苏华 ; 刘卫丽 ; 张苗 ; 孙晓玮 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2004 |
| 会议名称 | 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 |
| 会议日期 | 2004 |
| 关键词 | 射频集成电路 高阻SOI 串扰 芯片集成 |
| 中文摘要 | 随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势.本文分析了RF电路发展中遇到的挑战以及SOI在RF电路中应用优势,综述了当前国际上SOIRF电路的研究进展. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5904724.aspx |
| 会议录 | 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55472]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 骆苏华,刘卫丽,张苗,等. SOI在射频电路中的应用[C]. 见:上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5904724.aspx. |
入库方式： OAI收割
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