中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
应变对PbSe材料晶格振动的影响

文献类型:会议论文

作者曹春芳 ; 吴惠桢 ; 徐天宁 ; 斯剑霄 ; 陈静 ; 沈文忠
出版日期2006
会议名称第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期2006
关键词PbSe外延薄膜 拉曼光谱 光学声子 晶格失配
中文摘要本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268-280 cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度不同的明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模拉曼活性的物理原因,我们还比较
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6373322.aspx
会议录第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55492]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
曹春芳,吴惠桢,徐天宁,等. 应变对PbSe材料晶格振动的影响[C]. 见:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6373322.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。