InP基HEMT结构上制备的肖特基二极管
文献类型：会议论文
| 作者 | 孙浩 ; 孙晓玮 ; 齐鸣 ; 王伟 ; 艾立鹍 ; 滕腾 ; 李凌云 ; 钱蓉 ; 徐安怀 ; 朱福英 ; 田彤 |
| 出版日期 | 2010 |
| 会议名称 | 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2010 |
| 中文摘要 | 利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同结构器件进行了高频特性测试,结果表明阳极尺寸为3μm×44μm三指结构器件的截止频率超过300GHz,该器件适合零偏下工作,并将可能和HRMT实现单片集成。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390511.aspx |
| 会议录 | 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55506]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙浩,孙晓玮,齐鸣,等. InP基HEMT结构上制备的肖特基二极管[C]. 见:第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2010.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390511.aspx. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。