总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布
文献类型：会议论文
| 作者 | 王茹 ; 张正选 ; 俞文杰 ; 贺威 ; 田浩 ; 陈明 |
| 出版日期 | 2007 |
| 会议名称 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议 |
| 会议日期 | 2007 |
| 关键词 | 总剂量辐射 SOI晶体管 陷阱电荷分布 电场分布 载流子扩散 |
| 中文摘要 | 通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系.将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS管埋氧层中的电场分布的数据代入方程式,得到总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷的分布。得到的数据较好地解释了实验结果。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6444622.aspx |
| 会议录 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55508]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王茹,张正选,俞文杰,等. 总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议. 2007.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6444622.aspx. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。