InP基RTD制备与特性分析
文献类型：会议论文
| 作者 | 王伟 ; 孙浩 ; 田彤 ; 艾立鹍 ; 谈惠祖 ; 齐鸣 ; 孙晓玮 |
| 出版日期 | 2010 |
| 会议名称 | 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2010 |
| 中文摘要 | 通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电流密度为26KA/cm2.峰谷电流比1.56,与模拟结果进行了比较与分析,为进一步改善器件性能奠定了基础。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390510.aspx |
| 会议录 | 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55512]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王伟,孙浩,田彤,等. InP基RTD制备与特性分析[C]. 见:第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2010.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390510.aspx. |
入库方式： OAI收割
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