两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
文献类型：会议论文
| 作者 | 林玲 ; 徐安怀 ; 孙晓玮 ; 齐鸣 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | 异质结双极晶体管 直流特性 高速固态器件 Medici软件 |
| 中文摘要 | InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6370617.aspx |
| 会议录 | 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55532]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林玲,徐安怀,孙晓玮,等. 两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析[C]. 见:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6370617.aspx. |
入库方式： OAI收割
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