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一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

文献类型:会议论文

作者史明甫 ; 焦继伟 ; 包晓清 ; 冯飞 ; 杨恒 ; 李铁 ; 王跃林
出版日期2006
会议名称传感技术学报
会议日期2006
关键词微/纳机械系统 纳米沟道 离子束刻蚀
中文摘要本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列.在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2 μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440 nm.
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6219364.aspx
会议录传感技术学报
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55538]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
史明甫,焦继伟,包晓清,等. 一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术[C]. 见:传感技术学报. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6219364.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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