一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术
文献类型:会议论文
作者 | 史明甫 ; 焦继伟 ; 包晓清 ; 冯飞 ; 杨恒 ; 李铁 ; 王跃林 |
出版日期 | 2006 |
会议名称 | 传感技术学报 |
会议日期 | 2006 |
关键词 | 微/纳机械系统 纳米沟道 离子束刻蚀 |
中文摘要 | 本文研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列.在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2 μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440 nm. |
会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6219364.aspx |
会议录 | 传感技术学报
![]() |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55538] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 史明甫,焦继伟,包晓清,等. 一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术[C]. 见:传感技术学报. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6219364.aspx. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。