氧氮共注SOI材料结构与注氮剂量研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 张恩霞 ; 易万兵 ; 陈孟 ; 张正选 ; 王曦 ; 张国强 ; 刘忠立 ; 范凯 ; 李宁 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | SOI材料 注氮剂量 氧氮共注 SIMON圆片 |
| 中文摘要 | 采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质存在很密切的关系,埋层的绝缘性能和埋层中的断键是提高器件抗辐射效应的关键因素. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203752.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55548]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张恩霞,易万兵,陈孟,等. 氧氮共注SOI材料结构与注氮剂量研究[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203752.aspx. |
入库方式： OAI收割
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