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氧氮共注SOI材料结构与注氮剂量研究

文献类型:会议论文

作者张恩霞 ; 易万兵 ; 陈孟 ; 张正选 ; 王曦 ; 张国强 ; 刘忠立 ; 范凯 ; 李宁
出版日期2003
会议名称第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
会议日期2003
关键词SOI材料 注氮剂量 氧氮共注 SIMON圆片
中文摘要采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质存在很密切的关系,埋层的绝缘性能和埋层中的断键是提高器件抗辐射效应的关键因素.
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203752.aspx
会议录第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55548]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张恩霞,易万兵,陈孟,等. 氧氮共注SOI材料结构与注氮剂量研究[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203752.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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