注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 王茹 ; 张正选 ; 俞文杰 ; 田浩 ; 毕大炜 ; 张帅 ; 陈明 |
| 出版日期 | 2009 |
| 会议名称 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 |
| 会议日期 | 2009 |
| 关键词 | 总剂量效应 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 注硅工艺 改性加固材料 抗辐射性能 金属氧化物半导体 场效应晶体管 |
| 中文摘要 | 采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固，分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件，对器件进行辐照试验，得到ID-VG特性曲线。运用中带电压法对ID-VG特性曲线进行参数提取，进行电荷分离，得到埋氧层中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷信息。结果表明注硅改性工艺在BOX中引入了一定量的固定正电荷，但更重要的是在改性样品的BOX中引入大量电子陷阱，这补偿了辐射感生正空间电荷，抑制了辐射感生的陷阱电荷，最终得到具有优越的抗辐射性能的改性SIMOX材料。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226018.aspx |
| 会议录 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55557]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王茹,张正选,俞文杰,等. 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226018.aspx. |
入库方式： OAI收割
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