注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 张帅 ; 张正选 ; 毕大炜 ; 陈明 |
| 出版日期 | 2009 |
| 会议名称 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 |
| 会议日期 | 2009 |
| 关键词 | 总剂量效应 硅纳米晶体 注硅改性 加固材料 阈值电压 |
| 中文摘要 | 采用Si+注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料，对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si+减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si+的BOX层中形成了硅纳米晶体团簇，其作为深电子陷阱大幅减小了辐射诱生氧化物陷阱电荷的累积。Si+注入并退火能够提高全耗尽SIMOX材料的抗总剂量效应能力. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226016.aspx |
| 会议录 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55566]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张帅,张正选,毕大炜,等. 注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226016.aspx. |
入库方式： OAI收割
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