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CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究

文献类型:会议论文

作者刘延祥 ; 夏冠群 ; 唐绍裘 ; 程宗权 ; 郑燕兰
出版日期2004
会议名称第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
会议日期2004
关键词CH< 3> CSNH< 2> /NH< 4> OH GaInAsSb 红外探测器 表面钝化处理
中文摘要本文引入一种新的低毒化合物CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH<,4>)<,2>S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5705634.aspx
会议录第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55584]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘延祥,夏冠群,唐绍裘,等. CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究[C]. 见:第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5705634.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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