两步法电沉积制备CuInSe2太阳能电池吸收层材料
文献类型：会议论文
| 作者 | 张晓科 ; 王可 ; 解晶莹 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十三次全国电化学会议 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | 两步法电沉积 薄膜铜铟(镓)硒 太阳能电池 |
| 中文摘要 | 新型薄膜铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)太阳能电池因为其吸收层材料-铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)具有高光学吸收系数、直接带隙半导体、与太阳光谱匹配好以及稳定性好等优点成为薄膜太阳能电池的研究重点.用电化学沉积方法制备CuIn(Ga)Se2薄膜材料,可以在低温条件下大面积、连续、多组分同时沉积,具有设备投资小、成膜质量好、成膜速度快、原材料便宜、材料利用率高等优点,而且能在各种形状的衬底上沉积.目前电沉积制备的CuInSe2最高效率为13.5％,用Ga部分替代In获得的四元CuIn(Ga)S |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6095797.aspx |
| 会议录 | 第十三次全国电化学会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55598]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张晓科,王可,解晶莹. 两步法电沉积制备CuInSe2太阳能电池吸收层材料[C]. 见:第十三次全国电化学会议. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6095797.aspx. |
入库方式： OAI收割
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