纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储
文献类型：会议论文
| 作者 | 吴良才 ; 陈坤基 ; 宋志棠 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | 纳米硅 双势垒 电荷存储 等离子体 隧穿势垒 隧穿机制 单晶薄膜 |
| 中文摘要 | 利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵列双势垒纳米结构SiO2/nc-Si/SiO2。通过测量Raman散射谱证实了晶态的Si量子点的形成;利用C-V研究这种含有nc-Si量子点的双势垒结构中的电荷存储效应并用能带图和F-N(Fowler-Nordheim)隧穿机制分 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7101535.aspx |
| 会议录 | 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55612]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴良才,陈坤基,宋志棠. 纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储[C]. 见:第三届上海纳米科技与产业发展研讨会. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7101535.aspx. |
入库方式： OAI收割
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