离子束增强沉积技术在薄膜制备中的应用研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 门传玲 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2008 |
| 会议名称 | 中国化工学会2008年化工机械年会 |
| 会议日期 | 2008 |
| 关键词 | 非晶态铝-氮薄膜 薄膜制备 离子束增强沉积 薄膜生长 |
| 中文摘要 | 详细讨论离子束增强沉积IBED技术的原理、技术优势和在薄膜生长中的应用。采用IBED在Si衬底上制备出了非晶态Al-N薄膜。结果发现，IBED制备得到的Al-N薄膜性质强烈依赖于制备过程中Al的蒸发速率，得出的生长条件是：衬底温度为700℃，以20 keV的能量注入氮离子，同时以0．05 nm/s蒸发Al，这样可得到高质量的非晶Al-N薄膜。该薄膜热稳定性高，表面粗糙度仅为0．13 nm，且在整个Si片上沉积均匀，能够满足应用需要。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6720461.aspx |
| 会议录 | 中国化工学会2008年化工机械年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55616]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 门传玲,林成鲁. 离子束增强沉积技术在薄膜制备中的应用研究[C]. 见:中国化工学会2008年化工机械年会. 2008.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6720461.aspx. |
入库方式： OAI收割
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