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SOI技术的发展动向

文献类型:会议论文

作者王曦 ; 林成鲁
出版日期2004
会议名称第二届中国国际集成电路研讨会
会议日期2004
关键词圆片产业化 应变硅 集成电路
中文摘要本文分析了SOI技术国内外发展动向,结合我国的实际情况,提出了研究、开发SOI技术的两方面内容:8-12英寸SOI圆片产业化;SOI基应变硅技术。
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6898199.aspx
会议录第二届中国国际集成电路研讨会论文集
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55670]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王曦,林成鲁. SOI技术的发展动向[C]. 见:第二届中国国际集成电路研讨会. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6898199.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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