1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 曹春芳 ; 劳燕锋 ; 吴惠桢 ; 曹萌 ; 刘成 ; 谢正生 |
| 出版日期 | 2008 |
| 会议名称 | 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2008 |
| 关键词 | 垂直腔面发射激光器 选择性湿法腐蚀 隧道结结构 InAlAs材料 增益谱峰值 孔径工艺 |
| 中文摘要 | 实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,我们选择n++-InP/p++-InAlAs的侧向腐蚀隧道结结构。VCSEL结构由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜分布布拉格反射镜(DBR)以及通过晶片直接键合方法制作的GaAs/Al(Ga)As半导体DBR构成。分别制作了器件I和II,器件I在 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7088839.aspx |
| 会议录 | 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55676]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹春芳,劳燕锋,吴惠桢,等. 1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究[C]. 见:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2008.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7088839.aspx. |
入库方式： OAI收割
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