注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 武爱民 ; 陈静 ; 张恩霞 ; 杨慧 ; 张正选 ; 王曦 |
| 出版日期 | 2007 |
| 会议名称 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议 |
| 会议日期 | 2007 |
| 关键词 | SOI材料 注硅工艺 智能剥离 硅离子注入 纳米晶 改性处理 抗辐照性能 |
| 中文摘要 | SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX(注氧隔离方法)和UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在SIMOXSOI的抗辐射加固领域,采用氮离子注入、氮氧共注入以及硅离子注入的方法都曾取得过很有效的结果。采用硅离子注入的方法对UNIBOND SOI进行了抗总剂量加固.采用P-MOS的表征方法对加固前后的样品进行了比较和分析,在HP-4155B半导体测试仪上得到的I-V曲线和提取的参数表明,注入的离子有 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6444623.aspx |
| 会议录 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55730]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武爱民,陈静,张恩霞,等. 注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议. 2007.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6444623.aspx. |
入库方式： OAI收割
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