硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 何玉娟 ; 潘金辉 ; 罗宏伟 ; 恩云飞 ; 肖庆中 |
| 出版日期 | 2010 |
| 会议名称 | 2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会 |
| 会议日期 | 2010 |
| 中文摘要 | 本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD，(Electrostatic Discharge，静电放电)特性的影响，结果发现硅膜厚度越大，ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390856.aspx |
| 会议录 | 2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55778]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何玉娟,潘金辉,罗宏伟,等. 硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响[C]. 见:2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会. 2010.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390856.aspx. |
入库方式： OAI收割
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