InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 齐鸣 ; 徐安怀 ; 艾立鹍 ; 孙浩 ; 朱福英 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | InP基 InGaP GaAs GSMBE工艺 HBT材料 外延生长 |
| 中文摘要 | 通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6370048.aspx |
| 会议录 | 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55803]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐鸣,徐安怀,艾立鹍,等. InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究[C]. 见:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6370048.aspx. |
入库方式： OAI收割
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