基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
文献类型：会议论文
| 作者 | 李献杰 ; 陈晓杰 ; 徐安怀 ; 赵永林 ; 蔡道民 ; 曾庆明 ; 蒲运章 ; 郭亚娜 ; 王志功 ; 王蓉 ; 齐鸣 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | InP InGaAs HBT PIN 光接收OEIC 单片集成 光探测器 外延材料 |
| 中文摘要 | 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz; |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6370044.aspx |
| 会议录 | 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55805]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李献杰,陈晓杰,徐安怀,等. 基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC[C]. 见:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6370044.aspx. |
入库方式： OAI收割
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