低能Ar+离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜
文献类型：会议论文
| 作者 | 江炳尧 ; 冯涛 ; 任琮欣 ; 柳襄怀 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | 离子束 辅助沉积 薄膜 Cu Ag Pt |
| 中文摘要 | 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜.实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向.当Ar+离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向.本文采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar+离子注入Ag单晶所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar+离子入射Ag单晶(100)表面、(111) |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6280153.aspx |
| 会议录 | 2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55817]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江炳尧,冯涛,任琮欣,等. 低能Ar+离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜[C]. 见:2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6280153.aspx. |
入库方式： OAI收割
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