部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系
文献类型：会议论文
| 作者 | 俞文杰 ; 王茹 ; 张正选 ; 钱聪 ; 贺威 ; 田浩 ; 陈明 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 高能物理与核物理 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | 绝缘体硅 总剂量辐射效应 背沟道 掩埋氧化层 数值模型 载流子复合 |
| 中文摘要 | 实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6453593.aspx |
| 会议录 | 高能物理与核物理
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55822]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞文杰,王茹,张正选,等. 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系[C]. 见:高能物理与核物理. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6453593.aspx. |
入库方式： OAI收割
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