高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT
文献类型：会议论文
| 作者 | 苏树兵 ; 于进勇 ; 刘新宇 ; 刘训春 ; 王润梅 ; 徐安怀 ; 齐鸣 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 2005'全国微波毫米波会议 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | MBE 磷化铟 单异质结双极晶体管 铍 |
| 中文摘要 | 成功制作了MBE生长的Be掺杂基区的自对准InP/InGaAs单异质结双极晶体管(SHBT).该器件的发射极尺寸为2×13μm2:共射极直流增益β=100,残余电压Voffset≈0.06V,膝点电压Vknee≈0.3V,击穿电压BVCEO≈3.8V.器件的截止频率fr=155GHz,最高震荡频率fmax=60GHz. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6104961.aspx |
| 会议录 | 2005'全国微波毫米波会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55835]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏树兵,于进勇,刘新宇,等. 高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT[C]. 见:2005'全国微波毫米波会议. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6104961.aspx. |
入库方式： OAI收割
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