制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 夏吉林 ; 刘波 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | Ge2Sb2Te5薄膜 电学性能 制备条件 相变 |
| 中文摘要 | 本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,也就是意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197169.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55846]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏吉林,刘波,宋志棠,等. 制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197169.aspx. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。