硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响
文献类型:会议论文
作者 | 刘波 ; 宋志棠 ; 封松林 ; Bomy Chen |
出版日期 | 2005 |
会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
会议日期 | 2005 |
关键词 | Ge2Sb2Te5 硅离子注入 硅掺杂 电阻性能 薄膜结构 |
中文摘要 | 本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围. |
会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197168.aspx |
会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
![]() |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55849] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘波,宋志棠,封松林,等. 硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197168.aspx. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。