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硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响

文献类型:会议论文

作者刘波 ; 宋志棠 ; 封松林 ; Bomy Chen
出版日期2005
会议名称第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会
会议日期2005
关键词Ge2Sb2Te5 硅离子注入 硅掺杂 电阻性能 薄膜结构
中文摘要本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197168.aspx
会议录第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55849]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘波,宋志棠,封松林,等. 硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197168.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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