Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理
文献类型：会议论文
| 作者 | 刘卫丽 ; 狄增峰 ; 张苗 ; 骆苏华 ; 宋志棠 ; 朱剑豪 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | SiGe 应力释放 氧化 扩散 Ge浓缩技术 SGOI材料 |
| 中文摘要 | 基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力得到了完全的释放.原子力显微镜照片和透射电镜照片均表明在应力释放过程中未引入位错和缺陷.我们通过"容忍型"衬底的理论来解释氧化过程所涉及的应力释放.在氧化过程中,由于埋层SiO2在高温条件下具有流动性,所以SiGe层可以在其上滑移,从而释放应力. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197156.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55851]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘卫丽,狄增峰,张苗,等. Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197156.aspx. |
入库方式： OAI收割
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