改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 张苗 ; 狄增峰 ; 刘卫丽 ; 骆苏华 ; 宋志棠 ; 朱剑豪 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | SGOI材料 Ge浓缩技术 氧化退火 |
| 中文摘要 | SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达18﹪的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期时Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197153.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55853]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,狄增峰,刘卫丽,等. 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197153.aspx. |
入库方式： OAI收割
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