SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟
文献类型：会议论文
| 作者 | 俞文杰 ; 张正选 ; 郭天雷 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | SOI 总剂量辐射效应 背栅阈值电压 掩埋氧化层 偏置状态 |
| 中文摘要 | 本次工作使用MEDICI二维器件模拟软件,建立新型的BUSFET带体接触的SOINMOSFET器件模型,对不同偏置状态下掩埋氧化层中电场强度进行模拟.得到了不同偏置状态下器件内部的电场强度分布,通过对比分析,解释偏置状态影响总剂量辐射效应的原因. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197138.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55857]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞文杰,张正选,郭天雷. SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197138.aspx. |
入库方式： OAI收割
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